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英飞凌推第六代650V365体育网站特基365体育网址

作者:海飞乐技巧 时光:2017-11-28 11:37

  肖特基365体育网址是经由过程金属与N型半导体之间构成的打仗势垒存在整流特征而制成的一种属-半导体器件。肖特基365体育网址的基础结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆打仗层。

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  据悉,英飞凌科技股份公司推出第六代650V CoolSiC肖特基365体育网址,是CoolSiC365体育网址产物系列的最新成员。它驻足于第五代产物不同凡响的特征,能确保牢靠性、品质并进步效力。CoolSiC G6365体育网址是对600 V和650V CoolMOS 7产物系列的完善补充。它们面向以后和将来的效劳器和PC电源、电信装备电源和光伏逆变器利用。
  第六代650 V CoolSiC肖特基365体育网址采取全新规划以及全新专有肖特基金属体系,外部结构也与上代产物完整差别。其成果就是建立行业标杆VF(1.25 V),以及比上一代产物低17%的Qc x VF 优质系数(FOM)。别的,新推出的第六代全新365体育网址充足施展碳化硅的强盛特征——自力于温度的开关机能和没有反向规复电荷。
  该器件的计划有助于在全部负载前提下进步效力,同时进步系统功率密度。因而, 第六代650 V CoolSiC肖特基365体育网址具有降低散热请求、进步系统牢靠性和极快开关速率等诸多上风。新款器件是具有最佳性价比的新一代碳化硅365体育网址产物。
  SBD 在导经由过程程中没有额定载流子的注入和贮存,因此反向规复电流小,关断进程很快,开关消耗小。传统的硅肖特基365体育网址,因为全部金属与硅的功函数差都不很大,硅的肖特基势垒较低,硅 SBD 的反向泄电流偏大,阻断电压较低,只能用于一二百伏的低电压场所且不合适在 150 ℃以上任务。但是,碳化硅 SBD补充了硅 SBD 的缺乏,许多金属,比方镍、金、钯、钛、钴等,都能够与碳化硅构成肖特基势垒高度 1 eV 以上的肖特基打仗。据报道,Au/4H-SiC 打仗的势垒高度可到达 1.73 eV,Ti/4H-SiC 打仗的势垒比拟低,但最高也能够达到 1.1 eV。6H-SiC与种种金属打仗之间的肖特基势垒高度变更比拟宽,最低只有 0.5 eV,最高可达1.7 eV。于是,SBD 成为人们开辟碳化硅电力电子器件起首存眷的工具。它是高压疾速与低功率消耗、耐低温相联合的幻想器件。




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