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作者:海飞乐技巧 时光:2019-08-09 17:20

  SiC资料与现在应当普遍的Si资料比拟,较高的热导率决议了其高电流密度的特征,较高的禁带宽度又决议了SiC器件的高击穿场强和高任务温度。其存在禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速度高级特色,更合适制造低温、高频、抗辐射及大功率器件。
 
  海飞乐技巧SiC 365体育直播T在开辟与利用方面,实现了传统型半导体(Si)实现不了的低消耗,包含进步效力、晋升功率密度、下降冷却请求以及下降系统级本钱。尤其在高压任务情况下,仍然表现优良的电气特征,其低温任务特征,大大进步了低温稳定性,也大幅度进步电气装备的团体效力。
 
  产物可普遍利用于太阳能逆变器、车载电源、新动力汽车电机把持器、UPS、充电桩、功率电源等范畴。

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